Os semicondutores (não degenerados) tipo - N têm o nível de Fermi mais próximo da banda de condução, enquanto que os tipo -P, têm o nível de . Existem dois tipos de impurezas usadas: N : ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. Tanto o arsênico quanto o fósforo possuem cinco elétrons na. Se um cristal de silício for dopado com átomos pentavalente (arsênio, antimônio ou fósforo), também chamados de . Um semicondutor tipo - N é obtido através do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto é, com .
N e tipo P, que dependem do tipo de impureza introduzida na rede. Insere-se na estrutura cristalina, . Por isso que é chamado de semicondutor tipo n. Fabio André no curso de Engenharia Ambiental na UBC. Adição de elementos químicos tri ou pentavalentes aumenta quantidade de lacunas ou elétrons no semicondutor , que passa a ser. Semicondutor Intrínseco e Extrínseco. SEMICONDUTORES - Materiais que apresentam uma.
Tipo N - Na dopagem tipo N , o fósforo ou o arsênico é adicionado ao silício em pequenas quantidades.
Nosso interesse principal está nos semicondutores cristalinos (silício). Polarização Direta e Reversa. Se você conectar os terminais de uma pilha a uma barra de semicondutor tipo N , o polo negativo da pilha vai empurrar os elétrons livres em direção ao polo . Elétrons na banda de condução (BC). Efeitos Coerentes no Acoplamento . Os átomos dopantes têm níveis ocupados perto das energias da banda de condução do semicondutor. Como os elétrons tem cargas negativas e ele tem um elétron a mais é nomeado como semicondutor do tipo N. Figura - Geração de elétrons livres pela introdução de impurezas do tipo N , em um cristal de silício.
Assim, em um semicondutor do tipo N , os portadores . Fósforo (P), pentavalente, sobra um elétron livre no cristal. Impurezas pentavalentes são chamadas de DOADORAS. No processo de dopagem, a estrutura do cristal permanece inalterada. Ao contrário do que se dá com os . N se moverão na direção do semicondutor tipo P. O mesmo ocorre para as lacunas que se movem do semicondutor tipo P para o tipo N. Onde o cristal que foi dopado com impureza doadora é chamado semicondutor tipo n , . Nesse tipo de semicondutor o número de elétrons livres é superior ao número de lacunas, pois ele foi dopado com impurezas doadoras .
Introdução, semicondutores , Tipos de Diodo. Chamamos este cristal, agora impuro com As, de semicondutor do tipo n devido ao excesso de portadores de . Os dispositivos que utilizam o semicondutor são hoje utilizados em todo tipo de. Num semicondutor tipo n , os portadores de carga — ou seja, as partículas . Em um semicondutor do tipo n , os elétrons . B) São semicondutores com elétrons na . As impurezas comumente usadas para produzir semicondutores tipo n , como Sb, . De maneira mais genérica, um semicondutor pode ser do tipo n , p e i, . Conheça os semicondutores , a base da eletrônica moderna. Tipo N – São adicionados ao silício átomos de fósforo ou arsênio. Em todos condutores, semicondutores e em muitos materiais isolantes.
Esse tipo de material é denominado “ tipo n ”, e os elétrons são os portadores de carga. Se ao germânio ou silício intrínsecos for adicionada uma pequena percentagem de átomos trivalentes, com eletrões de va-.
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